| 发明名称 | 具有在隔离区上的间隔件的半导体器件 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体器件，其包括：从衬底突出的鳍有源区以及限定所述鳍有源区的隔离区；与所述鳍有源区和所述隔离区交叉的栅极图案；以及形成在所述栅极图案的侧表面上且延伸到所述隔离区的表面上的栅极间隔件。 | ||
| 申请公布号 | CN106057803A | 申请公布日期 | 2016.10.26 |
| 申请号 | CN201610102379.6 | 申请日期 | 2016.02.24 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 朴炳哉;申宪宗;赵学柱;吕京奂 |
| 分类号 | H01L27/088(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/088(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 张帆;张青 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：从衬底突出的鳍有源区以及限定所述鳍有源区的隔离区；与所述鳍有源区和所述隔离区交叉的栅极图案；以及形成在所述栅极图案的侧表面上的栅极间隔件，其配置为延伸到所述隔离区的表面上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||