发明名称 |
半导体制造装置及半导体装置的制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种半导体制造装置以及半导体装置的制造方法。本发明的实施方式是当在将多个半导体零件隔着接着层贴附在扩张片上的状态下拉伸扩张片而将接着层分割时,抑制未分割区域的产生。实施方式的半导体制造装置包括:第二环,对于具备第一环、被所述第一环固定的扩张片及隔着接着层贴附在所述扩张片上并且相互被分割的多个半导体零件的被处理体,压接所述扩张片;第三环,压制所述第一环;以及驱动机构,使所述被处理体及所述第二环中的至少一个升降,以使所述第一环与所述第二环之间产生高低差而拉伸所述扩张片;并且所述第二环的外周或所述第三环的内周具有如下形状:与第一方向正交的第二方向的宽度比所述第一方向的宽度小。 |
申请公布号 |
CN105990187A |
申请公布日期 |
2016.10.05 |
申请号 |
CN201510097273.7 |
申请日期 |
2015.03.04 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
藤田努 |
分类号 |
H01L21/67(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/67(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
张世俊 |
主权项 |
一种半导体制造装置,其特征在于包括:第二环,对于具备第一环、被所述第一环固定的扩张片、及隔着接着层贴附在所述扩张片上并且相互被分割后的多个半导体零件的被处理体,压接所述扩张片;第三环,压制所述第一环;以及驱动机构,能使所述被处理体及所述第二环中的至少一个升降,以使所述第一环与所述第二环之间产生高低差而拉伸所述扩张片;并且所述第二环的外周或所述第三环的内周具有如下形状:与第一方向的宽度相比,正交于所述第一方向的第二方向的宽度较小。 |
地址 |
日本东京 |