| 发明名称 | 晶体管的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种晶体管的形成方法，包括：提供衬底；在衬底表面形成伪栅膜；对所述伪栅膜的表面进行离子掺杂，使所述伪栅极表面的部分区域形成改性层；在形成改性层之后，刻蚀所述伪栅膜直至暴露出衬底表面为止，在衬底表面形成伪栅层，所述伪栅层表面具有改性层；在所述伪栅层和改性层的侧壁表面形成第一侧墙；在所述第一侧墙和伪栅层两侧的衬底内形成源区和漏区；在形成源区和漏区之后，在所述衬底、源区、漏区和伪栅层表面形成介质膜；对所述介质膜进行平坦化工艺，直至暴露出所述伪栅层，形成介质层，所述平坦化工艺对介质膜的平坦化速率低于对改性层的平坦化速率，所述介质层的表面高于所述伪栅层的表面。所形成的晶体管形貌良好、尺寸精确、性能稳定。 | ||
| 申请公布号 | CN105990140A | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201510051594.3 | 申请日期 | 2015.01.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 赵杰 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 应战;骆苏华 |
| 主权项 | 一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成伪栅膜；对所述伪栅膜的表面进行离子掺杂，使所述伪栅极表面的部分区域形成改性层；在形成改性层之后，刻蚀所述伪栅膜直至暴露出衬底表面为止，在衬底表面形成伪栅层，所述伪栅层表面具有改性层；在所述伪栅层和改性层的侧壁表面形成第一侧墙；在所述第一侧墙和伪栅层两侧的衬底内形成源区和漏区；在形成源区和漏区之后，在所述衬底、源区、漏区和伪栅层表面形成介质膜；对所述介质膜进行平坦化工艺，直至暴露出所述伪栅层，形成介质层，所述平坦化工艺对介质膜的平坦化速率低于对改性层的平坦化速率，所述介质层的表面高于所述伪栅层的表面。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||