| 发明名称 | 基于碲化镉的薄膜光伏器件所用的导电透明氧化物膜层的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明一般提供在基体(12)上形成导电氧化物层(14)的方法。在一个具体实施方案中，所述方法可包括在包含镉的溅射气氛用靶(例如包含锡酸镉)在基体(12)上溅射透明导电氧化物层(14)。可在约100℃至约600℃的溅射温度溅镀透明导电氧化物层(14)。本发明也一般提供制备基于碲化镉的薄膜光伏器件(10)的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102208484B | 申请公布日期 | 2016.09.21 |
| 申请号 | CN201110089632.6 | 申请日期 | 2011.03.30 |
| 申请人 | 初星太阳能公司 | 发明人 | S·D·费尔德曼-皮博迪 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 李进;林森 |
| 主权项 | 一种在基体上形成导电氧化物层的方法，所述方法包括：在包含镉的溅射气氛用靶(64)在基体(12)上溅镀透明导电氧化物层(14)，其中所述靶(64)包含锡酸镉，且其中在100℃至600℃的溅射温度溅镀所述透明导电氧化物层(14)，其中所述溅射气氛中所包含的镉由镉气体源提供，且镉占所述溅射气氛的0.1%至25%体积。 | ||
| 地址 | 美国科罗拉多州 | ||