用于制造多个半导体芯片的方法

摘要

说明一种具有载体(2)和有用层(5)的复合衬底(1)，其中所述有用层借助介电连接层(3)固定在所述载体(2)上并且所述载体(2)包含辐射转换材料。此外，说明一种具有这样的复合衬底的半导体芯片(10)、一种用于制造复合衬底的方法以及一种用于制造具有复合衬底的半导体芯片的方法。

主权项

一种用于制造多个半导体芯片(10)的方法，具有如下步骤：a)提供复合衬底(1)，所述复合衬底(1)具有载体(2)和借助介电连接层(3)固定在所述载体上的有用层(5)，其中‑所述复合衬底(1)的有用层的背离载体的表面被设置用作半导体层的外延沉积的沉积表面；‑所述复合衬底(1)包含辐射转换材料；以及‑所述载体包含陶瓷并且至少50%的体积比由所述辐射转换材料构成，或所述载体具有基体材料，所述辐射转换材料嵌入所述基体材料中；b) 在所述复合衬底上沉积半导体层序列(700)，所述半导体层序列(700)具有被提供用于产生辐射的有源区域；以及c) 将具有所述半导体层序列的所述复合衬底分离成多个半导体芯片；其中在所述步骤b)之后减薄所述载体，并且在减薄时电接触所述半导体芯片。