| 发明名称 | 具有改善的灵敏度和线性度的磁传感器 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有改善的灵敏度和线性度的磁传感器。一种磁传感器可包括：第一人工反铁磁结构，包括：第一铁磁层；设置在所述第一铁磁层上的第一耦合层；以及设置在所述第一耦合层上的第二铁磁层，其中所述第一耦合层使所述第一铁磁层和所述第二铁磁层之间形成反铁磁耦合；设置在所述第二铁磁层上的第一间隔层；以及设置在所述第一间隔层上的自由磁层，所述自由磁层的磁矩能随外磁场而自由旋转，其中，所述第一铁磁层的磁矩大于所述第二铁磁层的磁矩。 | ||
| 申请公布号 | CN105954692A | 申请公布日期 | 2016.09.21 |
| 申请号 | CN201610264985.8 | 申请日期 | 2016.04.26 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 韩秀峰;黄黎;吴昊;袁忠辉;万蔡华 |
| 分类号 | G01R33/09(2006.01)I | 主分类号 | G01R33/09(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市正见永申律师事务所 11497 | 代理人 | 黄小临;冯玉清 |
| 主权项 | 一种磁传感器，包括：第一人工反铁磁结构，包括：第一铁磁层；设置在所述第一铁磁层上的第一耦合层；以及设置在所述第一耦合层上的第二铁磁层，其中所述第一耦合层使所述第一铁磁层和所述第二铁磁层之间形成反铁磁耦合；设置在所述第二铁磁层上的第一间隔层；以及设置在所述第一间隔层上的自由磁层，所述自由磁层的磁矩能随外磁场而自由旋转，其中，所述第一铁磁层的磁矩大于所述第二铁磁层的磁矩。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村南三街8号 | ||