一种低电压电解有机物在铜基体表面生长DLC膜的方法

摘要

本发明涉及一种低电压电解有机物在铜基体表面生长DLC膜的方法，包括以下步骤：1)在室温条件下，对铜箔进行超声清洗，并将铜箔置于抛光液中进行抛光处理，然后用去离子水冲洗干净；2)以经过预处理的铜箔为阴极，以不锈钢片电极为阳极，以含有有机碳源的水溶液为电解液，采用恒压电解的方式进行电解，控制温度范围为30～70℃，直至在阴极收集到黑色碳薄膜，即为DLC膜，采用本发明得到的DLC膜为200nm左右含碳颗粒组成；本发明同现有技术相比，该方法具有制备条件设备简单、能耗低、成本低廉、成膜均一性好等优点，且原料来源丰富，扩大了DLC膜制备技术中有机碳源和基体的选择范围，易于实现工业化生产。

主权项

一种低电压电解有机物在铜基体表面生长DLC膜的方法，其特征在于，包括以下步骤，1)对基体进行预处理：在室温条件下，对铜箔进行超声清洗，并将铜箔置于抛光液中进行抛光处理，然后用去离子水冲洗干净；2)电解成膜：以经过预处理的铜箔为阴极，以不锈钢片电极为阳极，以含有有机碳源的水溶液为电解液，采用恒压电解的方式进行电解，控制温度范围为30～70℃，直至在阴极收集到黑色碳薄膜，即为DLC膜。