| 发明名称 | 具有延伸的栅极结构的半导体结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了半导体结构及其形成方法。半导体结构包括衬底和形成在衬底上方的鳍结构。半导体结构进一步包括围绕鳍结构形成的隔离结构以及横跨鳍结构形成的栅极结构。此外，栅极结构包括形成在鳍结构上方的第一部分和形成在隔离结构上方的第二部分，并且栅极结构的第二部分包括延伸进隔离结构内的延伸部分。 | ||
| 申请公布号 | CN105895695A | 申请公布日期 | 2016.08.24 |
| 申请号 | CN201510694354.5 | 申请日期 | 2015.10.21 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 张哲诚;林志翰 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：衬底；鳍结构，形成在所述衬底上方；隔离结构，围绕所述鳍结构形成；以及栅极结构，横跨所述鳍结构形成，其中，所述栅极结构包括形成在所述鳍结构上方的第一部分以及形成在所述隔离结构上方的第二部分，并且所述栅极结构的所述第二部分包括延伸进所述隔离结构内的延伸部分。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||