| 发明名称 | 一种半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成所述半导体器件；在所述衬底上形成所述半导体器件之前，在所述衬底表面形成低氧洁净区，所述半导体器件形成在所述低氧洁净区内。根据本发明的制造方法，对形成在普通的直拉单晶硅衬底的半导体器件的栅氧质量可靠性有明显改善，可以不用采购价格较贵的经过特殊处理的硅衬底，节约了半导体制造厂的材料成本。通过增加高温吸杂氧化的步骤，加速硅中氧的外扩散，在衬底表面形成一层低氧洁净区，减少了与氧有关的缺陷。另外，吸杂氧化不需要增加额外的设备，可以采用扩散炉管，与生产线工艺兼容。 | ||
| 申请公布号 | CN105869988A | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
| 申请号 | CN201510029289.4 | 申请日期 | 2015.01.20 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 发明人 | 马春霞;肖魁 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 汪洋;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底上形成所述半导体器件；其特征在于：在所述衬底上形成所述半导体器件之前，在所述衬底表面形成低氧洁净区，所述半导体器件形成在所述低氧洁净区内。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 | ||