| 发明名称 | 一种用于功率器件的沟槽栅结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种用于功率器件的沟槽栅结构，该沟槽栅结构为在沟槽内的下部形成由外往里分别为第一层氧化硅、第一层多晶硅和充满的第二层氧化硅的OPO结构；在沟槽内上部的外周有第二个第三层氧化硅，该第三层氧化硅与其中充满的第二层多晶硅构成上部的OP结构，同时该第三层氧化硅的底部将上部的第二层多晶硅与下部的第一层多晶硅隔离。该结构增加了栅极和漏极间氧化硅的厚度，从而获得较低的栅漏电容，以实现更快的开关速度。本实用新型公开的沟槽栅结构可广泛应用于沟槽MOSFET、沟槽IGBT等多种沟槽型功率器件中。 | ||
| 申请公布号 | CN205406525U | 申请公布日期 | 2016.07.27 |
| 申请号 | CN201620164654.2 | 申请日期 | 2016.03.03 |
| 申请人 | 安徽省祁门县黄山电器有限责任公司 | 发明人 | 饶祖刚;王民安;黄富强;项建辉;王日新 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人 | 杨大庆;叶绿林 |
| 主权项 | 一种用于功率器件的沟槽栅结构，包括硅衬底(100)，其特征在于：在硅衬底(100)的表面加工形成沟槽(101)，所述沟槽(101)整体呈U字型结构；在沟槽(101)的下部沿沟槽的内壁设置有U型的第一层氧化硅(102)，在U型的第一层氧化硅(102)内设置有U型的第一层多晶硅(103)，在第一层多晶硅(103)内填充满第二层氧化硅(104)；所述第一层氧化硅(102)、第一层多晶硅(103)和第二层氧化硅(104)形成从沟槽外周到沟槽中央的OPO结构；在所述第一层氧化硅(102)、第一层多晶硅(103)和第二层氧化硅(104)形成的OPO结构上方设置有U型的第三层氧化硅(105)，在第三层氧化硅(105)内填充满第二层多晶硅(106)，该第三层氧化硅(105)和第二层多晶硅(106)在沟槽(101)的上部形成从沟槽外周到沟槽中央的OP结构。 | ||
| 地址 | 245000 安徽省黄山市祁门县新兴路449号 | ||