一种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的制备方法

摘要

本发明提供了一种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的制备方法，方法依次在一衬底上生长GaN或AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层及InGaN帽层，并在AlGaN势垒层上制作源极和漏极，并在InGaN帽层上制作栅极，得到增强型的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管。本发明中的InGaN帽层含有大量In空位，由于In空位的大量存在会吸附电子，整个帽层呈现电负性，这样使势垒层导带能级抬高，从而耗尽沟道的二维电子气，实现器件的增强型，并且避免了传统P型帽层较难实现高浓度p掺杂的难点，增强了器件制备的可操作性。

主权项

一种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的制备方法，其特征在于，包括：S1，在一衬底上生长一GaN或AlN低温成核层；S2，在所述GaN或AlN成核层上生长一GaN缓冲层；S3，在所述GaN缓冲层上生长一GaN沟道层；S4，在所述GaN沟道层上生长一AlN插入层；S5，在所述AlN插入层上生长一AlGaN势垒层；S6，在所述AlGaN势垒层的表面部分区域生长一InGaN帽层，其中，所述InGaN帽层含有In空位；S7，在所述AlGaN势垒层表面上未生长所述InGaN帽层的区域，分别制作源极和漏极，并在所述InGaN帽层上制作栅极。