| 发明名称 | 半导体器件结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件结构。半导体器件结构包括：衬底，具有第一源极区和第一漏极区。半导体器件结构包括：位于衬底上方的第一栅极，并且第一栅极介于第一源极区与第一漏极区之间。半导体器件结构包括：第一接触结构，位于第一源极区上方。第一接触结构电连接至第一源极区。半导体器件结构包括：位于第一漏极区上方的第二接触结构。第二接触结构电连接至第一漏极区。半导体器件结构包括将第一栅极电连接至第一接触结构和第二接触结构的导电层。本发明还提供了一种半导体器件结构的形成方法。 | ||
| 申请公布号 | CN105742357A | 申请公布日期 | 2016.07.06 |
| 申请号 | CN201510666496.0 | 申请日期 | 2015.10.15 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 李明昌;张嘉德;孙仲村 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件结构，包括：衬底，具有第一源极区和第一漏极区；第一栅极，位于所述衬底上方并且介于所述第一源极区与所述第一漏极区之间；第一接触结构，位于所述第一源极区上方，其中，所述第一接触结构电连接至所述第一源极区；第二接触结构，位于所述第一漏极区上方，其中，所述第二接触结构电连接至所述第一漏极区；以及导电层，将所述第一栅极电连接至所述第一接触结构和所述第二接触结构。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||