发明名称 |
一种基于硅纳米线阵列的自驱动肖特基结近红外光电探测器及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种基于硅纳米线阵列的自驱动肖特基结近红外光电探测器及其制备方法,其特征在于:是在硅基底的表面通过银辅助的化学刻蚀法形成有硅纳米线阵列;在硅纳米线的外表面通过液相还原反应均匀包覆有金属铜膜;金属铜膜与硅纳米线形成肖特基结;在硅基底的背面刷涂有In/Ga导电胶层,与硅基底形成欧姆接触。本发明的肖特基结近红外光电探测器,制备过程简单易行,器件性能优越。 |
申请公布号 |
CN105702774A |
申请公布日期 |
2016.06.22 |
申请号 |
CN201610291282.4 |
申请日期 |
2016.04.29 |
申请人 |
合肥工业大学 |
发明人 |
吴春艳;潘志强;王友义;罗林保;于永强;王莉 |
分类号 |
H01L31/108(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/108(2006.01)I |
代理机构 |
安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 |
代理人 |
何梅生;卢敏 |
主权项 |
一种基于硅纳米线阵列的自驱动肖特基结近红外光电探测器,其特征在于:是在硅基底(1)的表面通过银辅助的化学刻蚀法形成有硅纳米线阵列(2);在硅纳米线的外表面通过液相还原反应均匀包覆有金属铜膜(3);所述金属铜膜与所述硅纳米线形成肖特基结;在所述硅基底(1)的背面刷涂有In/Ga导电胶层(4),与硅基底形成欧姆接触。 |
地址 |
230009 安徽省合肥市包河区屯溪路193号 |