| 发明名称 | SRAM器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种SRAM器件及其制造方法。所述SRAM器件包括：衬底；位于所述衬底上的阱区，所述阱区被浅沟槽隔离开来；位于所述阱区内、与所述浅沟槽相邻的源区；位于所述阱区上的层间介质，所述层间介质内设置有与所述源区相连的接触孔，所述接触孔在源区与浅沟槽连线的方向上使所述源区成对称分布。本发明所提供的SRAM器件，在器件的边缘处所产生的漏电较小，器件的良率较高。 | ||
| 申请公布号 | CN103247628B | 申请公布日期 | 2016.06.15 |
| 申请号 | CN201210025330.7 | 申请日期 | 2012.02.06 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 发明人 | 孙晓峰;丁海滨;韩领 |
| 分类号 | H01L27/11(2006.01)I;H01L21/8244(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/11(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 一种SRAM器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的阱区，所述阱区被浅沟槽隔离开来；位于所述阱区内、与所述浅沟槽相邻的源区；位于所述阱区上的层间介质，所述层间介质内设置有与所述源区相连的接触孔，所述接触孔在源区与浅沟槽连线的方向上使所述源区成对称分布；所述接触孔在源区与浅沟槽连线的方向上距所述源区两侧边缘的距离为0.08μm～0.14μm。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||