低成本芯片背部硅通孔互连结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种低成本芯片背部硅通孔互连结构及其制备方法；该互连结构包括至少一正面带有焊垫的芯片，芯片背面形成有对应焊垫的通孔，通孔的底部开口暴露焊垫且尺寸小于焊垫的尺寸；芯片背面及通孔的侧壁上覆盖有绝缘层；通孔的底部开口暴露的焊垫表面上采用化镀的方法形成有一定厚度的金属层；通孔内采用非电镀的方法填充满了导电材料。本发明无需要化镀硅通孔侧壁，并可避免使用深孔物理气相沉积及深孔电镀，具有成本低、工艺简单和可靠性高等优点。

主权项

一种低成本芯片背部硅通孔互连结构，其特征在于：包括至少一正面带有焊垫(2)的芯片(1)，所述芯片背面形成有对应所述焊垫的通孔(3)，所述通孔的底部开口暴露所述焊垫且尺寸小于所述焊垫的尺寸；所述芯片背面及所述通孔的侧壁上覆盖有绝缘层(4)；所述通孔的底部开口暴露的焊垫表面上采用化镀的方法形成有一定厚度的金属层(5)；所述通孔内采用非电镀的方法填充满了导电材料(6)。