半导体封装件的制法

摘要

一种半导体封装件及其制法，该半导体封装件的制法，通过于一表面依序具有第一与第二金属层的承载结构的第二金属层上形成多个电性连接垫，再移除该第二金属层外露的部分，以保留该些电性连接垫下的第二金属层，接着进行线路增层与置晶工艺，之后借由剥离方式，同时移除该承载结构、第一与第二金属层，而无需再进行蚀刻工艺以移除残留的金属材，所以能节省工艺时间，且可省略蚀刻工艺所需的费用。

主权项

一种半导体封装件的制法，其包括：提供一承载结构，其表面依序具有第一金属层与第二金属层；形成多个电性连接垫于该第二金属层上；移除该第二金属层未被该电性连接垫覆盖的部分，以保留该些电性连接垫下的第二金属层，且外露该第一金属层；形成一线路增层结构于该第一金属层与该些电性连接垫上，且该线路增层结构上具有多个电性接触垫；设置至少一半导体组件于该线路增层结构上，且该半导体组件电性连接该些电性接触垫；以及借由剥离方式，同时移除该承载结构、第一金属层与该电性连接垫下的第二金属层。