发明名称 |
图案的形成方法、图案和元件 |
摘要 |
本发明涉及图案的形成方法,该方法包括下述步骤:步骤一,在基板和图案状模的间隙配置选自氢化硅化合物和卤化硅化合物的至少一种硅烷化合物;步骤二,对配置的上述硅烷化合物实施选自热处理和紫外线照射处理的至少一种处理。通过在惰性气氛或还原性气氛下进行上述步骤二,可以形成包含硅的图案;通过在含氧气氛下进行上述步骤二的至少一部分,可以形成包含硅氧化物的图案。 |
申请公布号 |
CN102388435B |
申请公布日期 |
2016.06.01 |
申请号 |
CN201080016856.8 |
申请日期 |
2010.04.09 |
申请人 |
独立行政法人科学技术振兴机构 |
发明人 |
下田达也;松木安生;川尻陵;增田贵史;金田敏彦 |
分类号 |
H01L21/208(2006.01)I;B29C59/02(2006.01)I;C01B33/02(2006.01)I;C01B33/027(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/208(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
吴娟;高旭轶 |
主权项 |
图案的形成方法,该图案的形成方法包括下述步骤:步骤一:在基板和图案状模的间隙配置高级硅烷化合物,上述高级硅烷化合物为对选自下述式(2)和式(3)各自所示的化合物的至少一种化合物照射紫外线而得到的化合物,<img file="dest_path_image001.GIF" wi="181" he="64" />上述式中,X分别为氢原子或卤原子,i为3~8的整数,j为4~14的整数;和步骤二:对配置的上述高级硅烷化合物实施热处理,该图案的形成方法的特征在于,上述步骤一是通过在基板上形成高级硅烷化合物的被膜,然后在该被膜上配置图案状模并加压来进行的,所述高级硅烷化合物通过凝胶渗透层析测定的聚苯乙烯换算的重均分子量为1000~12000。 |
地址 |
日本埼玉县 |