| 发明名称 | 具有高质量外延层的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了具有高质量外延层的半导体器件及其制造方法。根据实施例，半导体器件可以包括：衬底；与衬底相隔开的鳍状第一半导体层，第一半导体层沿其纵向延伸方向包括第一部分和第二部分；至少部分环绕第一半导体层的第一部分外周的第二半导体层；至少部分环绕第一半导体层的第二部分外周的第三半导体层；在衬底上形成的隔离层，隔离层至少部分地露出第二半导体层和第三半导体层，露出的第二半导体层和第三半导体层分别呈鳍状延伸；以及在隔离层上形成的与第二半导体层相交的第一栅堆叠以及与第三半导体层相交的第二栅堆叠。 | ||
| 申请公布号 | CN105609560A | 申请公布日期 | 2016.05.25 |
| 申请号 | CN201510888548.9 | 申请日期 | 2015.12.07 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱慧珑 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 倪斌 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底；与衬底相隔开的鳍状第一半导体层，第一半导体层沿其纵向延伸方向包括第一部分和第二部分；至少部分环绕第一半导体层的第一部分外周的第二半导体层；至少部分环绕第一半导体层的第二部分外周的第三半导体层；在衬底上形成的隔离层，隔离层至少部分地露出第二半导体层和第三半导体层，露出的第二半导体层和第三半导体层分别呈鳍状延伸；以及在隔离层上形成的与第二半导体层相交的第一栅堆叠以及与第三半导体层相交的第二栅堆叠。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||