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Halbleiterbauelement, das folgende Merkmale umfasst: einen Kanalbereich (140), der in einem Halbleitersubstrat (110) zwischen einem ersten Kontaktbereich (120) und einem zweiten Kontaktbereich (130) angeordnet ist; eine erste programmierbare Struktur (150), die eine erste, mit einer ersten Wortleitung (156) verbundene Steuerstruktur (152) umfasst, wobei die erste programmierbare Struktur (150) angeordnet ist, so dass eine Leitfähigkeit eines ersten Abschnitts (142) des Kanalbereichs (140) von einer Spannung abhängt, die über die erste Wortleitung (156) an die erste Steuerstruktur (152) der ersten programmierbaren Struktur (150) angelegt ist, und von einem Informationswert, der in der ersten programmierbaren Struktur (150) gespeichert ist; und eine zweite programmierbare Struktur (160), die eine zweite, mit einer zweiten Wortleitung (166) verbundene Steuerstruktur (162) umfasst, wobei die zweite programmierbare Struktur (160) angeordnet ist, so dass eine Leitfähigkeit eines zweiten Abschnitts (144) des Kanalbereichs (140) von einer Spannung abhängt, die über die zweite Wortleitung (166) an die zweite Steuerstruktur (162) der zweiten programmierbaren Struktur (160) angelegt ist, und von einem Informationswert, der in der zweiten programmierbaren Struktur (160) gespeichert ist, wobei der erste Abschnitt (142) und der zweite Abschnitt (144) des Kanalbereichs (140) elektrisch in Reihe geschaltet sind zwischen den ersten Kontaktbereich (120) und den zweiten Kontaktbereich (130), und wobei die erste programmierbare Struktur (150) und die zweite programmierbare Struktur (160) durch eine isolierende Struktur voneinander getrennt sind. |
