| 摘要 |
Es wird ein Bauelement mit einem Halbleiterkörper (2), einer ersten Metallschicht (3) und einer zweiten Metallschicht (4) angegeben, wobei – die erste Metallschicht zwischen dem Halbleiterkörper und der zweiten Metallschicht angeordnet ist, – der Halbleiterkörper eine erste Halbleiterschicht (21) auf einer der ersten Metallschicht abgewandten Seite, eine zweite Halbleiterschicht (22) auf einer der ersten Metallschicht zugewandten Seite und eine zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordnete aktive Schicht (23) aufweist, – das Bauelement eine Durchkontaktierung (24) aufweist, die sich durch die zweite Halbleiterschicht und die aktive Schicht hindurch zur elektrischen Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht erstreckt, – die zweite Metallschicht einen ersten Teilbereich (41) und einen von dem ersten Teilbereich durch einen Zwischenraum (40) lateral beabstandeten zweiten Teilbereich (42) aufweist, wobei der erste Teilbereich über die erste Metallschicht mit der Durchkontaktierung elektrisch verbunden ist, – und in Draufsicht die erste Metallschicht den Zwischenraum lateral vollständig bedeckt. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements angegeben. |
