| 发明名称 | 激光二极管元件组件及其驱动方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及激光二极管元件组件及其驱动方法。一种激光二极管元件组件包括：激光二极管元件；以及光反射器，其中，激光二极管元件包括(a)层压结构体，所述层压结构体通过顺序层压由GaN基化合物半导体制成的第一导电型第一化合物半导体层，由GaN基化合物半导体制成且包括发光区域的第三化合物半导体层，以及由GaN基化合物半导体制成的第二导电型第二化合物半导体层而构成，第二导电型与第一导电型不同，(b)第二电极，形成在第二化合物半导体层上，(c)第一电极，电连接至第一化合物半导体层，层压结构体包括脊条形结构，脊条形结构的最小宽度W<sub>min</sub>和最大宽度W<sub>max</sub>满足1＜W<sub>max</sub>/W<sub>min</sub>＜3.3或6≤W<sub>max</sub>/W<sub>min</sub>≤13.3。 | ||
| 申请公布号 | CN102684067B | 申请公布日期 | 2016.05.18 |
| 申请号 | CN201210062338.0 | 申请日期 | 2012.03.09 |
| 申请人 | 索尼公司;国立大学法人东北大学 | 发明人 | 大木智之;仓本大;幸田伦太郎;渡边秀辉;横山弘之 |
| 分类号 | H01S5/22(2006.01)I;H01S5/065(2006.01)I;H01S5/042(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 一种激光二极管元件组件，包括：激光二极管元件；以及光反射器，其中，所述激光二极管元件包括：(a)层压结构体，所述层压结构体通过顺序层压由GaN基化合物半导体制成的第一导电型第一化合物半导体层，由GaN基化合物半导体制成且包括发光区域的第三化合物半导体层，以及由GaN基化合物半导体制成的第二导电型第二化合物半导体层而构成，所述第二导电型与所述第一导电型不同，(b)第二电极，形成在所述第二化合物半导体层上，以及(c)第一电极，电连接至所述第一化合物半导体层，所述层压结构体包括脊条形结构，激光从所述脊条形结构的第一端面发出，所述激光的一部分被所述光反射器反射返回至所述激光二极管元件，而所述激光的其余部分通过所述光反射器向外界出射，所述激光被所述脊条形结构的第二端面反射，所述脊条形结构的最小宽度W<sub>min</sub>和最大宽度W<sub>max</sub>满足1＜W<sub>max</sub>/W<sub>min</sub>＜3.3或6≤W<sub>max</sub>/W<sub>min</sub>≤13.3。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||