发明名称 |
III-N器件结构和方法 |
摘要 |
本发明描述了一种III-N器件,其具有III-N层、在所述III-N层上的电极、与所述III-N层和电极相邻的钝化层、与所述钝化层和电极相邻的厚绝缘层、能够将显著热量从所述III-N器件转移出去的高导热性载体以及在所述厚绝缘层与所述载体之间的粘合层。所述粘合层将所述厚绝缘层连接于所述载体。所述厚绝缘层可以具有精确控制的厚度并且是导热的。 |
申请公布号 |
CN103493206B |
申请公布日期 |
2016.05.18 |
申请号 |
CN201280014875.6 |
申请日期 |
2012.01.30 |
申请人 |
特兰斯夫公司 |
发明人 |
普里米特·帕里克;尤瓦扎·多拉;吴毅锋;乌梅什·米什拉;尼古拉斯·费希滕鲍姆 |
分类号 |
H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/778(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
张颖;谢丽娜 |
主权项 |
III‑N器件,其包含:具有一定厚度的基材;与所述基材相邻的III‑N层;与所述III‑N层相邻并在与所述基材对面的一侧上的电极;穿过所述基材的孔隙;以及位于孔隙中的额外层;其中所述孔隙穿过所述基材的整个厚度但是不穿过所述III‑N层的整个厚度,并且所述额外层完全填充所述孔隙。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |