| 发明名称 | 一种MOSFET器件及其制造方法、电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种MOSFET器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括多种阈值电压区域；在所述半导体衬底上形成栅氧化层；向所述栅氧化层和所述半导体衬底注入氟离子；在所述栅氧化层上形成栅极材料层；以及分别进行各阈值电压区域的源/漏形成工艺。采用本发明的方法可以抑制MOSFET器件的HCI效应和NBTI效应、提高器件的可靠性、改善器件的性能，同时还可以节省MOSFET器件的制造成本。 | ||
| 申请公布号 | CN105529267A | 申请公布日期 | 2016.04.27 |
| 申请号 | CN201410567958.9 | 申请日期 | 2014.10.22 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 李若园 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种MOSFET器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括多种阈值电压区域；在所述半导体衬底上形成栅氧化层；向所述栅氧化层和所述半导体衬底注入氟离子；在所述栅氧化层上形成栅极材料层；以及分别进行各阈值电压区域的源/漏形成工艺。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||