发明名称 |
非依电性资料储存闩锁器 |
摘要 |
明的一实施例系关于包含有具有一资料状态的一以电晶体为基础的位元闩锁器及与该以电晶体为基础的位元闩锁器耦合的一忆阻器的一单一位元记忆体胞元,其中该以电晶体为基础的位元闩锁器的资料状态系藉由一储存操作被储存至该忆阻器中,以及一先前储存资料状态系自该忆阻器藉由一恢复操作被取回及被恢复至该以电晶体为基础的位元闩锁器中。本发明的另一实施例系关于包含有一主从正反器及一从属正反器之一单一位元记忆体胞元,包含有一电源输入、一忆阻器、一记忆体胞元电源输入、一第一记忆体胞元时脉输入、一第二记忆体胞元时脉输入、一记忆体胞元资料输入、一记忆体胞元资料输出以及二或更多个记忆体胞元控制输入。 |
申请公布号 |
TWI531162 |
申请公布日期 |
2016.04.21 |
申请号 |
TW099124135 |
申请日期 |
2010.07.22 |
申请人 |
惠普研发公司 |
发明人 |
史尼得 葛雷格瑞S |
分类号 |
H03K19/003(2006.01);G11C11/41(2006.01) |
主分类号 |
H03K19/003(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
恽轶群;陈文郎 |
主权项 |
一种单一位元记忆体胞元,包含有:具有一资料状态之一以电晶体为基础的位元闩锁器;以及一忆阻器,与该以电晶体为基础的位元闩锁器耦合,其中该以电晶体为基础的位元闩锁器的该资料状态系藉由一储存操作储存于其中,及一先前储存资料状态系自其中藉由一恢复操作取回及恢复至该以电晶体为基础的位元闩锁器中。
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地址 |
美国 |