| 发明名称 | 基于硅衬底的HEMT器件 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种基于硅衬底的HEMT器件，在硅衬底上依次形成GaN外延层、第一Al<sub>x</sub>Ga<sub>(1-x)</sub>N层、第二Al<sub>z</sub>Ga<sub>(1-z)</sub>N层，采用AlGaN/AlGaN异质结的外延结构，利用AlGaN合金层相较于GaN更好的抗击穿特性，提高了基于硅衬底的HEMT器件整体的耐压能力。 | ||
| 申请公布号 | CN205177852U | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201520849171.1 | 申请日期 | 2015.10.29 |
| 申请人 | 杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司 | 发明人 | 张昊翔;陈兴;江忠永;陈向东 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/205(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 余毅勤 |
| 主权项 | 一种基于硅衬底的HEMT器件，其特征在于，包括：硅衬底；形成于所述硅衬底上的GaN外延层、第一Al<sub>x</sub>Ga<sub>(1‑x)</sub>N层以及第二Al<sub>z</sub>Ga<sub>(1‑z)</sub>N层，其中，0<x<0.1，0.15≤z≤0.4；形成于所述第二Al<sub>z</sub>Ga<sub>(1‑z)</sub>N层上的栅极、源极和漏极。 | ||
| 地址 | 310012 浙江省杭州市黄姑山路4号 | ||