发明名称 凸点的制造方法
摘要 一种凸点的制造方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上形成有焊垫层和钝化层,所述焊垫层镶嵌于钝化层中,且通过钝化层上的第一开口暴露出焊垫层;在所述焊垫层和所述钝化层上依次形成第一掩膜层和第二掩膜层;刻蚀所述第二掩膜层和第一掩膜层至露出焊垫层,形成第二开口,所述第二开口位于第一掩膜层内的部分为第一子开口,位于第二掩膜层内的部分为第二子开口,第一子开口面积大于第二子开口面积;在所述第二开口内依次形成金属柱和焊料层;去除第二掩膜层和第一掩膜层;对所述焊料层进行回流焊工艺。本发明所形成芯片封装结构的可靠性高、耐用好。
申请公布号 CN103413770B 申请公布日期 2016.04.20
申请号 CN201310391143.5 申请日期 2013.08.30
申请人 南通富士通微电子股份有限公司 发明人 施建根;吴谦国;陈文军
分类号 H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L21/60(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 骆苏华
主权项 一种凸点的制造方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上形成有焊垫层和钝化层,所述焊垫层镶嵌于钝化层中,且通过钝化层上的第一开口暴露出焊垫层;在所述焊垫层和所述钝化层上依次形成第一掩膜层和第二掩膜层,所述第一掩膜层和所述第二掩膜层的材料包括含有羧基的丙烯类共聚物,多官能(甲基)丙烯酸酯单体和光聚作用引发剂;所述第一掩膜层中光聚作用引发剂所占的质量百分比小于所述第二掩膜层中光聚作用引发剂所占的质量百分比;所述第一掩膜层中光聚作用引发剂占第一掩膜层总质量的质量百分比为0.5~7.5%,所述第二掩膜层中光聚作用引发剂占第二掩膜层总质量的质量百分比为1~10%;对所述第二掩膜层和第一掩膜层进行曝光显影,形成露出焊垫层表面的第二开口,所述第二开口位于第一掩膜层内的部分为第一子开口,位于第二掩膜层内的部分为第二子开口,第一子开口水平投影面积大于第二子开口水平投影面积;在所述第二开口内依次形成金属柱和焊料层;去除第二掩膜层和第一掩膜层;对所述焊料层进行回流焊工艺。
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