纳米线晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种纳米线晶体管，其包括用于包覆硅层的应变SiGe材质的圆柱状的主体结构，主体结构包括中间部分及位于中间部分两侧的两个端部，围绕中间部分包裹有栅极，形成围栅；主体结构位于中心轴方向上的两端分别作为纳米线晶体管的源极和漏极；其中，主体结构的材料包括硅锗，中间部分锗的浓度大于两个端部的锗的浓度；源极和漏极之间形成有沟道区；圆筒状的栅氧化层将源极和漏极之间的硅层表面进行包覆，且该栅氧化层的外侧被一多晶硅栅所包覆。本发明公开的纳米线晶体管，压应力SiGe应用到纳米线晶体管中，压应力导致空穴能带分裂为重空穴能带，本发明可满足在十几纳米以下工艺节点对晶体管开启性能的要求，还可以有效的降低栅极的漏电。

主权项

一种纳米线晶体管，其特征在于，包括用于包覆硅层的应变SiGe材质的圆柱状的主体结构，所述主体结构包括中间部分及位于中间部分两侧的两个端部，围绕中间部分包裹有栅极，形成围栅；所述主体结构位于中心轴方向上的两端分别作为纳米线晶体管的源极和漏极；其中，所述主体结构的材料包括硅锗，所述中间部分锗的浓度大于所述两个端部的锗的浓度；所述源极和漏极之间形成有沟道区；圆筒状的栅氧化层将源极和漏极之间的硅层表面进行包覆，且该栅氧化层的外侧被一多晶硅栅所包覆。