损耗调制式硅倏逝波激光器

摘要

本发明公开一种损耗调制式硅倏逝波激光器。根据本发明一个或多个实施例的损耗调制式半导体激光器件包括：驻留在第一衬底上的绝缘体上半导体（SOI）结构，该SOI结构包括位于SOI结构的半导体层中的波导；和与该SOI结构的半导体层键合的半导体结构，其中该SOI结构的半导体层中的至少一个区域控制半导体激光器件中的光子寿命。

主权项

一种损耗调制式半导体激光器件，包括：位于在第一衬底上的绝缘体上半导体SOI结构，所述SOI结构包括在所述SOI结构的半导体层上的波导；与所述SOI结构的所述半导体层键合的半导体结构，所述半导体结构和所述波导整体限定了激光腔的至少一部分；和可操作地用于控制所述激光腔中的损耗的至少一个区域，所述至少一个区域用作调制部，所述调制部全部位于所述激光腔中，且所述调制部还可操作地用于通过控制所述损耗调制式半导体激光器件中的群速度、谐振腔长度、反馈系数和分布损耗中的至少一者，控制所述损耗调制式半导体激光器件中的光子寿命，其中，所述调制部包括毗邻所述波导的n型掺杂区域和p型掺杂区域，所述n型掺杂区域位于波导的第一侧面上，所述p型掺杂区域位于所述波导的第二侧面上。