| 发明名称 |
半导体装置的制造方法 |
| 摘要 |
半导体装置的制造方法，包括如下步骤：形成第一绝缘膜；在第一绝缘膜上形成源极电极及汲极电极以及与源极电极及汲极电极电连接的氧化物半导体膜；对氧化物半导体膜进行热处理以去除氧化物半导体膜中的氢原子；在去除了氢原子的氧化物半导体膜上形成第二绝缘膜；对第二绝缘膜进行氧掺杂处理以对第二绝缘膜中供给氧原子；以及在第二绝缘膜上的与氧化物半导体膜重叠的区域中形成闸极电极。 |
| 申请公布号 |
TWI528555 |
申请公布日期 |
2016.04.01 |
| 申请号 |
TW100113544 |
申请日期 |
2011.04.19 |
| 申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 |
发明人 |
山崎舜平 |
| 分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：形成第一绝缘膜；在该第一绝缘膜上形成源极电极、汲极电极以及氧化物半导体膜，其中该氧化物半导体膜与该源极电极及该汲极电极电连接；对该氧化物半导体膜进行第一氧掺杂处理；在该氧化物半导体膜上形成第二绝缘膜；对该第二绝缘膜进行第二氧掺杂处理；以及夹着该第二绝缘膜在该氧化物半导体膜上形成闸极电极。
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| 地址 |
日本 |
