| 发明名称 | 石墨烯薄膜电子源及其制作方法、真空电子器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种石墨烯薄膜电子源及其制作方法、真空电子器件。石墨烯薄膜电子源包括：依次形成于基板上的第一电极、绝缘层及第二电极；其中，所述第二电极为石墨烯薄膜制成的电极。真空电子器件包括上述石墨烯薄膜电子源。该制作方法包括：采用溅射法在基板上形成第一电极；在所述第一电极上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成第二电极；其中，所述第二电极为石墨烯薄膜制成的电极。本发明利用石墨烯薄膜导电性好、厚度薄、机械强度高等特点，采用石墨烯作为电子源的顶层电极材料，能够有效地提高电子源的发射效率、电子透过率及导电性。 | ||
| 申请公布号 | CN105448621A | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201510836321.X | 申请日期 | 2015.11.26 |
| 申请人 | 国家纳米科学中心 | 发明人 | 李驰;李振军;白冰;戴庆 |
| 分类号 | H01J1/304(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I | 主分类号 | H01J1/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 李相雨 |
| 主权项 | 一种石墨烯薄膜电子源，其特征在于，包括：依次形成于基板上的第一电极、绝缘层及第二电极；其中，所述第二电极为石墨烯薄膜制成的电极。 | ||
| 地址 | 100080 北京市海淀区中关村北一条11号 | ||