发明名称 |
一种基于MOCVD技术制备REBCO超导材料的装置 |
摘要 |
一种基于MOCVD技术制备REBCO超导材料的装置,包括真空室、金属有机源输送管路、喷淋器、冷却器、衬底、加热器及氧气引入机构,金属有机源输送管路位于真空室顶部,喷淋器位于真空室内部并与金属有机源输送管路相连,冷却器位于喷淋器下方,氧气引入机构位于冷却器下方,衬底通过弧形板安装在真空室下部,加热器位于衬底及弧形板下方,衬底与氧气引入机构之间留有反应气体输送空间;氧气引入机构与衬底之间距离可调;氧气引入机构包括氧气入口和进气通道,氧气入口与进气通道相连通,进气通道上密布有若干喷淋孔;进气通道采用环状结构;喷淋孔的氧气喷射方向与喷淋器的金属有机源喷射方向平行且相反;在靠近喷淋器一侧的氧气引入机构上设置有隔热机构。 |
申请公布号 |
CN105420684A |
申请公布日期 |
2016.03.23 |
申请号 |
CN201510968214.2 |
申请日期 |
2015.12.21 |
申请人 |
东北大学 |
发明人 |
陈一民;章曙东;樊子铭 |
分类号 |
C23C16/40(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/40(2006.01)I |
代理机构 |
沈阳东大知识产权代理有限公司 21109 |
代理人 |
梁焱 |
主权项 |
一种基于MOCVD技术制备REBCO超导材料的装置,其特征在于:包括真空室、金属有机源输送管路、喷淋器、冷却器、衬底、加热器及氧气引入机构,所述金属有机源输送管路位于真空室顶部,所述喷淋器位于真空室内部并与金属有机源输送管路相连,所述冷却器位于喷淋器下方,所述氧气引入机构位于冷却器下方,所述衬底通过弧形板安装在真空室下部,所述加热器位于衬底及弧形板下方,在衬底与氧气引入机构之间留有反应气体输送空间。 |
地址 |
110819 辽宁省沈阳市和平区文化路3号巷11号 |