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Elektronische Schaltung auf einem Trägersubstrat (1), mit mindestens einer in einem kontinuierlichen Prozess gebildeten musterförmigen Schichtlage (2), wobei die elektronische Schaltung aus mindestens zwei elektronischen Bauelementen aus der Gruppe an Bauelementen umfassend Feldeffekttransistoren, Dioden, Kondensatoren, Induktivitäten und Widerstände oder aus einer Kombination von mindestens zwei unterschiedlichen Bauelementen dieser Gruppe gebildet ist, wobei die mindestens eine musterförmige Schichtlage (2) hinsichtlich der Schaltung eine elektrische Funktion aufweist, wobei durch die mindestens eine musterförmige Schichtlage (2) im Bereich der Schaltung eine ungleichmäßige lokale mittlere Flächenbelegung des Trägersubstrats (1) ausgebildet ist, wobei die lokale mittlere Flächenbelegung des Trägersubstrats (1) im Bereich der Schaltung vergleichmäßigt ist, indem Bereiche des Trägersubstrats (1), die nicht mit der musterförmigen Schichtlage (2) belegt sind, mit einer musterförmigen Zusatzschicht (3) belegt sind, die hinsichtlich der Schaltung ohne elektrische Funktion ist und gleichzeitig mit der jeweiligen musterförmigen Schichtlage (2) und von dieser beabstandet aus dem gleichen Material wie die musterförmige Schichtlage (2) ausgebildet ist. |
