电源掉电反冲保护电路

摘要

掉电后能保护电源器件的电源掉电反冲保护电路，包括一最大电压选择电路和一电源掉电关断电路；电压选择电路由电压比较器COMP1、反相器INV1、第一PMOS场效应管M1和第二PMOS场效应管M2组成；比较器COMP1的正输入端接电源Vin，负输入端接被保护器件的输出端Vout，输出端接反相器INV1的输入端，反相器INV1的输出端接第二PMOS场效应管M2的栅极；电源掉电关断电路由电流源I0、第三PMOS场效应管M3和第四PMOS场效应管M4组成，电流源I0的负极接地，正极接第三PMOS场效应管M3的漏极，第四PMOS场效应管M4的源极和衬底短接后接电源Vin，漏极接被保护器件功率管M0的栅极。本发明适用于电源管理产品。

主权项

一种电源掉电反冲保护电路，其特征是包括一最大电压选择电路和一电源关断电路，所述最大电压选择电路用以提供一个Buck电压去控制被保护器件的衬底电位，所述电源关断电路用以在电源掉电时关断被保护器件；所述最大电压选择电路由电压比较器COMP1、反相器INV1、第一PMOS场效应管M1和第二PMOS场效应管M2组成；电压比较器COMP1的正输入端接电源Vin，电压比较器COMP1的负输入端接被保护器件的输出端Vout，电压比较器COMP1的输出端接反相器INV1的输入端，反相器INV1的输出端接第二PMOS场效应管M2的栅极，第一PMOS场效应管M1的栅极与所述电压比较器COMP1输出端和反相器INV1输入端的接端连接，第一PMOS场效应管M1的源极和衬底短接后接被保护器件的衬底电位Buck，第一PMOS场效应管M1的漏极接被保护器件的输出端Vout，第二PMOS场效应管M2的源极和衬底短接后接被保护器件的衬底电位Buck，第二PMOS场效应管M2的漏极接电源Vin；所述电源关断电路由电流源I0、第三PMOS场效应管M3和第四PMOS场效应管M4组成；电流源I0的负极接地，电流源I0的正极接第三PMOS场效应管M3的漏极，第三PMOS场效应管M3的源极接被保护器件的输出端Vout，第三PMOS场效应管M3的栅极接电源Vin，第三PMOS场效应管M3的衬底与被保护器件的衬底和最大电压选择电路输出端Buck的接端相连，第四PMOS场效应管M4的源极和衬底短接后接电源Vin，第四PMOS场效应管M4的栅极与所述第三PMOS场效应管M3的漏极和电流源I0正极的接端相连，第四PMOS场效应管M4的漏极接被保护器件功率管M0的栅极。