| 发明名称 | 电压调整、高压产生和存储器电路 | ||
| 摘要 | 一种电压调整、高压产生和存储器电路，所述电压调整电路包括：第一ZMOS管、分压电路、第一NMOS管和比较器；所述第一ZMOS管的栅极连接所述第一ZMOS管的漏极，所述第一ZMOS管的源极连接所述分压电路的输入端；所述第一NMOS管的漏极连接所述分压电路的第一输出端，所述第一NMOS管的源极接地；所述比较器的第一输入端连接所述分压电路的第二输出端，所述比较器的第二输入端适于接收参考电压。 | ||
| 申请公布号 | CN105404346A | 申请公布日期 | 2016.03.16 |
| 申请号 | CN201510971817.8 | 申请日期 | 2015.12.22 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 杨光军 |
| 分类号 | G05F1/56(2006.01)I | 主分类号 | G05F1/56(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 吴敏 |
| 主权项 | 一种电压调整电路，其特征在于，包括：第一ZMOS管、分压电路、第一NMOS管和比较器；所述第一ZMOS管的栅极连接所述第一ZMOS管的漏极，所述第一ZMOS管的源极连接所述分压电路的输入端；所述第一NMOS管的漏极连接所述分压电路的第一输出端，所述第一NMOS管的源极接地；所述比较器的第一输入端连接所述分压电路的第二输出端，所述比较器的第二输入端适于接收参考电压。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||