LED芯片及制造方法

摘要

本发明的一方面提出了一种LED芯片，包括：台阶状的堆叠，位于堆叠之上的钝化层；形成于钝化层中的处于相应于第一台阶面的区域内的P型电极；以及形成于钝化层中的处于相应于第二台阶面的区域内的N型电极，其中，P型电极的面积与N型电极的面积之比或N型电极的面积与P型电极的面积之比处于0.7-1.2的范围内。本发明还提出了改进的两种LED芯片和两种制作LED芯片的方法。根据本发明的LED芯片和制造方法，解决了现有技术中的LED芯片在SMT技术的应用中容易产生虚焊、偏位、短路等不足。

主权项

一种LED芯片，包括：台阶状的堆叠，包括位于最底部的基底、相邻地位于所述基底之上的N型材料层、相邻地位于所述N型材料层之上的发光层，以及相邻地位于所述发光层之上的P型材料层，其中所述P型材料层位于所述堆叠的第一台阶面上，所述N型材料层的外侧部分位于所述堆叠的第二台阶面上，所述第一台阶面高于所述第二台阶面；位于所述堆叠之上的钝化层；形成于所述钝化层中的处于相应于所述第一台阶面的区域内的P型电极；以及形成于所述钝化层中的处于相应于所述第二台阶面的区域内的N型电极，其特征在于，所述P型电极与所述N型电极之间的所述钝化层的面积与整个电极面的面积之比处于1/3‑1/2的范围内。