发明名称 外延反应器
摘要 一实施例包括:反应腔室;基座,该基座定位在反应腔室中以使得晶片坐落在基座上;以及气体流控制器,该气体流动控制器用于控制流入到反应腔室中的气体流动,其中,该气体流动控制器包括:注射帽,该注射帽具有多个出口用以分开气体流动;注射缓冲器,该注射缓冲器包括分别与多个出口相对应的第一通孔,且这些第一通孔允许从多个出口排出的气体通过,以及挡板,该挡板包括分别与第一通孔相对应的第二通孔,且该第二通孔允许已流过第一通孔的气体通过,并且每个第一通孔所具有的面积大于每个第二通孔的面积并且小于每个出口的面积。
申请公布号 CN105393335A 申请公布日期 2016.03.09
申请号 CN201480040741.0 申请日期 2014.07.08
申请人 LG矽得荣株式会社 发明人 金寅谦
分类号 H01L21/20(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I 主分类号 H01L21/20(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 李丹丹
主权项 一种外延反应器,包括:反应腔室;基座,所述基座位于所述反应腔室中以使得晶片坐落在所述基座上;以及气体流动控制器,所述气体流动控制器用于控制引入到所述反应腔室中的气体流动,其中,所述气体流动控制器包括:注射帽,所述注射帽具有多个出口用以分开所述气体流动;注射缓冲器,所述注射缓冲器具有与相应的出口相对应的第一通孔,以使得从所述出口排出的气体流过所述第一通孔;以及挡板,所述挡板具有与相应的第一通孔相对应的第二通孔,以使得流过所述第一通孔的气体流过所述第二通孔,以及每个第一通孔的所具有的面积大于每个第二通孔的的面积并且小于每个出口的面积。
地址 韩国庆尚北道
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