发明名称 发光装置以及采用该发光装置的显示装置
摘要 本发明涉及一种发光装置,其包括:一第一电极、一第一半导体层、一活性层、一第二半导体层以及一第二电极;所述第一半导体层、活性层以及第二半导体层层叠设置;其中,所述第二电极为一设置于该第二半导体层表面的金属超材料层,所述金属超材料层为一连续的金属层,且该连续的金属层定义多个周期设置的开口从而形成多个周期设置的超材料单元;且所述金属超材料层与所述活性层之间的距离小于等于100纳米,该金属超材料层通过等离子体激元场共振实现对活性层发出的光的纳米级起偏,使该发光装置直接发出偏振光。采用该发光装置的显示装置无需专门偏振元件,结构简单。
申请公布号 CN105374919A 申请公布日期 2016.03.02
申请号 CN201410426400.9 申请日期 2014.08.26
申请人 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 发明人 任梦昕;李群庆;张立辉;陈墨;范守善
分类号 H01L33/44(2010.01)I;H01L33/42(2010.01)I;G02F1/13357(2006.01)I 主分类号 H01L33/44(2010.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种发光装置,其包括:一第一电极、一第一半导体层、一活性层、一第二半导体层以及一第二电极;所述第一半导体层、活性层以及第二半导体层层叠设置,所述第一电极与该第一半导体层电连接,且所述第二电极与该第二半导体层电连接;其特征在于,所述第二电极为一设置于该第二半导体层表面的金属超材料层,所述金属超材料层为一连续的金属层,且该连续的金属层定义多个周期设置的开口从而形成多个周期设置的超材料单元;且所述金属超材料层与所述活性层之间的距离小于等于100纳米,该金属超材料层通过等离子体激元场共振实现对活性层发出的光的纳米级起偏,使该发光装置直接发出偏振光。
地址 100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室