| 发明名称 | 蚀刻剂组合物和制造薄膜晶体管阵列基板的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种蚀刻剂组合物和制造薄膜晶体管阵列基板的方法，所述蚀刻剂组合物包含过氧化氢、蚀刻抑制剂、螯合剂、蚀刻添加剂、氧化物半导体保护剂和pH调节剂。基于所述蚀刻剂组合物的总重量，所述氧化物半导体保护剂在所述蚀刻剂组合物中的含量为约0.1重量％～3.0重量％。本公开的此种蚀刻剂组合物不包含任何氟类化合物并且具有约3.5～6的高pH值。由此，所述蚀刻剂组合物使氧化物半导体在对铜和钼合金的蚀刻过程中不会被蚀刻。因此，所述蚀刻剂组合物可将在蚀刻过程中容易产生的故障最小化。 | ||
| 申请公布号 | CN105369249A | 申请公布日期 | 2016.03.02 |
| 申请号 | CN201510236752.2 | 申请日期 | 2015.05.11 |
| 申请人 | 乐金显示有限公司;易安爱富科技有限公司 | 发明人 | 郑康来;申孝燮 |
| 分类号 | C23F1/18(2006.01)I;C23F1/26(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | C23F1/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 庞东成;武胐 |
| 主权项 | 一种蚀刻剂组合物，其包含：过氧化氢；蚀刻抑制剂；螯合剂；蚀刻添加剂；氧化物半导体保护剂；和pH调节剂，其中，基于所述蚀刻剂组合物的总重量，所述氧化物半导体保护剂在所述蚀刻剂组合物中的含量为约0.1重量％～3.0重量％。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||