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Herstellungsverfahren für eine mikromechanische Sensorvorrichtung mit geätzter Rückseitenkaverne (TR; TR') mit den Schritten: Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (1) eines ersten Leitungstyps (p) mit einer Vorderseite (VS) und einer Rückseite (RS); Bilden einer Halbleiterschichtanordnung (2, 4; 4) eines zweiten Leitungstyps (n) mit mindestens einer ersten Halbleiterschicht (4) des zweiten Leitungstyps (n) auf oder in der Vorderseite (VS) des Halbleitersubstrats (1); Bilden einer Reihenschaltung von mehreren Photovoltaikzellen (PV1, PV2) als Spannungsquelle auf der Vorderseite (VS) des Halbleitersubstrats (1) in der ersten Halbeiterschicht (4) des zweiten Leitungstyps (n), deren erstes Ende (E1) am Halbleitersubstrat (1) und deren zweites Ende (E2) an der untersten Halbeiterschicht (2; 4) des zweiten Leitungstyps (n) elektrisch angeschlossen ist; Bilden einer Maske (RM) auf der Rückseite (RS) des Halbleitersubstrats (1) mit einer Maskenöffnung (OE) gegenüberliegend der Halbleiterschichtanordnung (2, 4; 4) des zweiten Leitungstyps (n) und einer Passivierungschicht (12) auf der Vorderseite (VS) des Halbleitersubstrats (1); und Durchführen eines anisotropen Nassätzprozesses unter Verwendung der Maske (RM), wobei die Vorderseite (VS) des Halbleitersubstrats (1) zum Aktivieren der Spannungsquelle beleuchtet wird, so dass der anisotrope Nassätzprozess an der Halbleiterschichtanordnung (2, 4; 4) des zweiten Leitungstyps (n) stoppt, wodurch die Rückseitenkaverne (TR; TR') gebildet wird. |
