一种量子点发光场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开一种量子点发光场效应晶体管及其制备方法，其自下而上依次包括：衬底、栅极、绝缘层、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层及源漏电极。本发明集发光器件与电路控制单元TFT于一体，有利于简化QLED-TFT器件的制备流程。且本发明在量子点发光层的两侧加上了电子传输层与空穴传输层，这种结构一方面使得量子点发光层与电极之间的直接接触被阻隔，防止了激子在电极处的淬灭，另一方面，使得电子和空穴能够更加高效地在器件内传输，有利于提升LET的发光效率与器件的寿命。

主权项

一种量子点发光场效应晶体管，其特征在于，自下而上依次包括：衬底、栅极、绝缘层、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层及源漏电极。