发明名称 |
一种梯度多孔氮化硅陶瓷的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种梯度多孔氮化硅陶瓷的制备方法:步骤1)将生物质预处理后,进行碳化、粉磨,获得碳硅质前驱体,然后将其与氮化硅、添加剂混合,研磨造粒,得到含碳硅质的混合物;步骤2)将步骤1中得到的两种或两种以上的含碳硅质的混合物依次装入模具内,各层依次装填;装填后跳振;在3~20MPa下模压成型,得到坯体;步骤3)将坯体在氮气气氛及常压下进行烧结,冷却后,得到梯度多孔氮化硅陶瓷。本发明是通过一步成型碳热还原-常压烧结法,工艺简单,成本低廉的方法制备梯度多孔氮化硅陶瓷。 |
申请公布号 |
CN105315006A |
申请公布日期 |
2016.02.10 |
申请号 |
CN201510875817.8 |
申请日期 |
2015.12.03 |
申请人 |
盐城工学院 |
发明人 |
郭伟;刘甜甜;许晓敏 |
分类号 |
C04B38/06(2006.01)I;C04B35/584(2006.01)I |
主分类号 |
C04B38/06(2006.01)I |
代理机构 |
南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 |
代理人 |
施翔宇 |
主权项 |
一种梯度多孔氮化硅陶瓷的制备方法,其特征在于包括以下步骤:步骤1)将生物质预处理后,进行碳化、粉磨,获得碳硅质前驱体,然后将其与氮化硅、添加剂混合,研磨造粒,得到含碳硅质的混合物;步骤2)将步骤1中得到的两种或两种以上的含碳硅质的混合物依次装入模具内,各层依次装填;装填后跳振;在3~20MPa下模压成型,得到坯体;步骤3)将坯体在氮气气氛及常压下进行烧结,冷却后,得到梯度多孔氮化硅陶瓷。 |
地址 |
224051 江苏省盐城市希望大道中路1号 |