发明名称 一种梯度多孔氮化硅陶瓷的制备方法
摘要 本发明公开了一种梯度多孔氮化硅陶瓷的制备方法:步骤1)将生物质预处理后,进行碳化、粉磨,获得碳硅质前驱体,然后将其与氮化硅、添加剂混合,研磨造粒,得到含碳硅质的混合物;步骤2)将步骤1中得到的两种或两种以上的含碳硅质的混合物依次装入模具内,各层依次装填;装填后跳振;在3~20MPa下模压成型,得到坯体;步骤3)将坯体在氮气气氛及常压下进行烧结,冷却后,得到梯度多孔氮化硅陶瓷。本发明是通过一步成型碳热还原-常压烧结法,工艺简单,成本低廉的方法制备梯度多孔氮化硅陶瓷。
申请公布号 CN105315006A 申请公布日期 2016.02.10
申请号 CN201510875817.8 申请日期 2015.12.03
申请人 盐城工学院 发明人 郭伟;刘甜甜;许晓敏
分类号 C04B38/06(2006.01)I;C04B35/584(2006.01)I 主分类号 C04B38/06(2006.01)I
代理机构 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人 施翔宇
主权项 一种梯度多孔氮化硅陶瓷的制备方法,其特征在于包括以下步骤:步骤1)将生物质预处理后,进行碳化、粉磨,获得碳硅质前驱体,然后将其与氮化硅、添加剂混合,研磨造粒,得到含碳硅质的混合物;步骤2)将步骤1中得到的两种或两种以上的含碳硅质的混合物依次装入模具内,各层依次装填;装填后跳振;在3~20MPa下模压成型,得到坯体;步骤3)将坯体在氮气气氛及常压下进行烧结,冷却后,得到梯度多孔氮化硅陶瓷。
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