| 发明名称 | ITO-卤化铟双层导电膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于导电薄膜领域，其公开了一种ITO-卤化铟双层导电膜及其制备方法；该双层导电膜包括ITO层和卤化铟层；其中，ITO层中，In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>质量百分含量为80～97％，SnO<sub>2</sub>的质量百分含量为3～20％；卤化铟中的卤素选自F、Cl或Br。本发明采用磁控溅射设备，制备ITO-卤化铟双层导电膜，其在450～790nm波长范围可见光透过率85％～90％，方块电阻范围20～90Ω/□，表面功函数5.5～6.1eV。 | ||
| 申请公布号 | CN103243296B | 申请公布日期 | 2016.02.10 |
| 申请号 | CN201210030181.3 | 申请日期 | 2012.02.10 |
| 申请人 | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 | 发明人 | 周明杰;王平;陈吉星;黄辉 |
| 分类号 | C23C14/06(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;H05B33/10(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 何平 |
| 主权项 | 一种ITO‑卤化铟双层导电膜，其特征在于，该双层导电膜包括ITO层和卤化铟层，所述卤化铟层层叠于所述ITO层的表面；其中，ITO层中包括In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和SnO<sub>2</sub>，且In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>质量百分含量为80～97％，SnO<sub>2</sub>的质量百分含量为3～20％；卤化铟层的材质为卤化铟，其化学式为InA<sub>3</sub>，A为卤素，选自F、Cl或Br；所述ITO层的厚度为50～300nm，卤化铟层的厚度为0.5～3nm。 | ||
| 地址 | 518100 广东省深圳市南山区南海大道海王大厦A座22层 | ||