发明名称 |
在具有极小尺寸的结构中实现硅化物、锗化物或锗硅化物形成的工艺和放大工艺窗口的方法 |
摘要 |
提供用于在极小结构中形成硅化物、锗化物或锗硅化物的技术。在一个方面中,提供一种用于在具有极小尺寸的三维硅、锗或硅锗结构中形成硅化物、锗化物或锗硅化物的方法。该方法包括以下步骤。将至少一种元素注入到该结构中。将至少一种金属沉积到该结构上。该结构被退火以在硅、锗或硅锗内散布金属以形成硅化物、锗化物或锗硅化物,其中注入的元素用于防止硅化物、锗化物或锗硅化物的形态劣化。注入的元素可以包括碳、氟和硅中的至少一种。 |
申请公布号 |
CN103348458B |
申请公布日期 |
2016.02.03 |
申请号 |
CN201280007822.1 |
申请日期 |
2012.02.02 |
申请人 |
国际商业机器公司 |
发明人 |
B·L·弗莱彻;C·拉沃耶;S·L·毛雷尔;章贞 |
分类号 |
H01L21/44(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/44(2006.01)I |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 11247 |
代理人 |
于静;杨晓光 |
主权项 |
一种用于在三维硅、锗或硅锗结构中形成硅化物、锗化物或锗硅化物的方法,所述结构包括纳米线或膜,其中所述纳米线具有小于或等于10纳米的截面直径,所述膜具有小于或等于10纳米的厚度,所述方法包括以下步骤:将至少一种元素注入到所述结构中;将至少一种金属沉积到所述结构上;以及对所述结构进行退火以在所述硅、锗或硅锗内散布所述金属以形成所述硅化物、锗化物或锗硅化物,其中注入的元素用于防止所述硅化物、锗化物或锗硅化物的形态劣化。 |
地址 |
美国纽约 |