一种利用C掺杂SiGe调制层制备SGOI或GOI的方法

摘要

本发明提供一种利用C掺杂SiGe调制层制备SGOI或GOI的方法，包括步骤：1）于SOI的顶硅层表面形成C掺杂SiGe调制层；2）于所述C掺杂SiGe调制层表面形成SiGe材料层；3）于所述SiGe材料层表面形成Si帽层；4）对上述结构进行氧化退火，以氧化所述Si帽层，并逐渐氧化所述SiGe材料层、C掺杂SiGe调制层及顶硅层，使所述SiGe材料层及C掺杂SiGe调制层中的Ge向所述顶硅层扩散并逐渐浓缩，最终形成顶SiGe层或顶Ge层以及上方的SiO₂层；5）去除所述SiO₂层。本发明利用C掺杂SiGe调制层减小SOI顶硅层和外延的SiGe材料层之间的晶格失配，从而减小浓缩过程中缺陷的产生。本发明所制备的SGOI具有高弛豫、低缺陷密度、高Ge组分等优点。

主权项

一种利用C掺杂SiGe调制层制备SGOI或GOI的方法，其特征在于，至少包括步骤：1)提供包括硅衬底、埋氧层及顶硅层的SOI衬底，于所述顶硅层表面形成C掺杂SiGe调制层；所述C掺杂SiGe调制层中，C的掺杂浓度不小于1E20/cm³；2)于所述C掺杂SiGe调制层表面形成SiGe材料层；3)于所述SiGe材料层表面形成Si帽层；4)对上述结构进行氧化退火，以氧化所述Si帽层，并逐渐氧化所述SiGe材料层、C掺杂SiGe调制层及顶硅层，使所述SiGe材料层及C掺杂SiGe调制层中的Ge向所述顶硅层扩散并逐渐浓缩，最终形成顶SiGe层或顶Ge层以及所述顶SiGe层或顶Ge层上方的SiO₂层；5)去除所述顶SiGe层或顶Ge层上方的SiO₂层。