| 发明名称 |
半导体装置之接触结构、ｐ型金氧半导体场效电晶体及半导体装置之制造方法 |
| 摘要 |
明系关于一种半导体装置。用于此半导体装置之一种接触结构包括：一基板，包括一主表面以及位于该主表面下方之一空室；一应变材料，位于该空室内，其中该应变材料之一晶格常数不同于该基板之一晶格常数；一含锗介电层，位于该应变材料上；以及一金属层，位于该含锗介电层上。
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| 申请公布号 |
TWI520340 |
申请公布日期 |
2016.02.01 |
| 申请号 |
TW102125494 |
申请日期 |
2013.07.17 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
万幸仁;叶凌彦;施启元;陈彦友 |
| 分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L29/40(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文;颜锦顺 |
| 主权项 |
一种半导体装置之接触结构，包括：一基板，包括一主表面以及位于该主表面下方之一空室；一应变材料，位于该空室内，其中该应变材料之一晶格常数不同于该基板之一晶格常数；一含锗介电层，位于该应变材料上，其中该含锗介电层具有大体均匀之一厚度；以及一金属层，位于该含锗介电层上，其中该金属层具有大体均匀之一厚度。
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
