发明名称 一种Mura补偿数据写入装置及方法
摘要 本发明提供一种Mura补偿数据写入装置,包括Mura补偿芯片、第一存储器、第二存储器、连接器及控制电路,所述Mura补偿芯片与第一存储器、第二存储器及连接器连接,所述连接器与第一存储器电性连接,并通过所述控制电路与第二存储器电性连接,所述第一存储器与第二存储器均包括允许写入和写入保护两种状态,所述控制电路用于控制所述第二存储器与第一存储器处于不同的工作状态,所述连接器用于在所述第一存储器进入允许写入状态时向第一存储器写入第一数据,并在第二存储器进入允许写入状态时,通过所述Mura补偿芯片向第二存储器写入第二数据。另,本发明还提供一种Mura补偿数据写入方法。所述Mura补偿数据写入装置可以简化Mura补偿数据写入过程并提升写入效率。
申请公布号 CN105280149A 申请公布日期 2016.01.27
申请号 CN201510764877.2 申请日期 2015.11.11
申请人 深圳市华星光电技术有限公司 发明人 张华
分类号 G09G3/36(2006.01)I 主分类号 G09G3/36(2006.01)I
代理机构 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人 郝传鑫;熊永强
主权项 一种Mura补偿数据写入装置,包括Mura补偿芯片、第一存储器和第二存储器,其特征在于,所述装置还包括连接器及控制电路,所述Mura补偿芯片与所述第一存储器、第二存储器及连接器电性连接,所述连接器与所述第一存储器电性连接,并通过所述控制电路与所述第二存储器电性连接,所述第一存储器与第二存储器均包括允许写入状态和写入保护状态两种工作状态,所述控制电路用于控制所述第二存储器与所述第一存储器处于不同的工作状态,所述连接器用于在所述第一存储器进入允许写入状态时向所述第一存储器写入第一数据,并在所述第二存储器进入允许写入状态时,通过所述Mura补偿芯片向所述第二存储器写入第二数据。
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