发明名称 |
一种平面异质结敏化的有机荧光发光二极管及其制备方法 |
摘要 |
本发明属于有机光电材料技术领域,公开了一种平面异质结敏化的有机荧光发光二极管及其制备方法。所述二极管包括依次层叠的衬底、阳极、P型有机半导体层、N型有机半导体层和阴极;所述的P型有机半导体层和N型有机半导体层中至少有一层掺杂荧光材料。P型有机半导体层由能够较好传导空穴的有机半导体材料构成,N型有机半导体层由能够较好传导电子的有机半导体材料构成。本发明的有机荧光发光二极管的电致发光光谱来源于所掺杂的有机荧光材料,具备较低的驱动电压以及较高的发光效率,理论内量子效率可以达到100%,具有良好的应用前景。 |
申请公布号 |
CN105261706A |
申请公布日期 |
2016.01.20 |
申请号 |
CN201510557886.4 |
申请日期 |
2015.09.01 |
申请人 |
华南理工大学 |
发明人 |
苏仕健;陈东成;曹镛 |
分类号 |
H01L51/50(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/50(2006.01)I |
代理机构 |
广州市华学知识产权代理有限公司 44245 |
代理人 |
罗啸秋 |
主权项 |
一种平面异质结敏化的有机荧光发光二极管,其特征在于:包括依次层叠的衬底、阳极、P型有机半导体层、N型有机半导体层和阴极;所述的P型有机半导体层和N型有机半导体层中至少有一层掺杂荧光材料。 |
地址 |
510640 广东省广州市天河区五山路381号 |