绝缘体上锗GOI结构的制备方法

摘要

本发明提供一种GOI结构的制备方法，至少包括以下步骤：S1：提供一SOI衬底，在所述顶层硅表面形成一SiO₂保护层；S2：从所述SiO₂保护层正面进行离子注入，注入深度到达所述顶层硅中；S3：去除所述SiO₂保护层，在所述顶层硅表面外延生长一SiGe层；S4：在所述SiGe层表面形成一Si帽层；S5：将步骤S4获得的结构进行锗浓缩，形成依次包含有背衬底、埋氧层、Ge层、SiO₂层的叠层结构；S6：腐蚀掉所述叠层结构表面的SiO₂层以得到GOI结构。本发明利用预先对SOI衬底进行离子注入，然后外延SiGe层并进行锗浓缩，在锗浓缩的退火过程中，顶层硅中注入的离子减弱了Si与SiGe之间的晶格失配，使应力抵消释放，从而降低最后GOI材料的穿透位错密度，获得高质量的GOI结构。

主权项

一种绝缘体上锗GOI结构的制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：S1：提供一自下而上依次包括背衬底、埋氧层及顶层硅的SOI衬底，在所述顶层硅表面形成一SiO₂保护层；S2：从所述SiO₂保护层正面进行离子注入，注入深度到达所述顶层硅中；S3：去除所述SiO₂保护层，在所述顶层硅表面外延生长一SiGe层；S4：在所述SiGe层表面形成一Si帽层；S5：将步骤S4获得的结构进行锗浓缩，形成依次包含有背衬底、埋氧层、Ge层、SiO₂层的叠层结构；S6：腐蚀掉所述叠层结构表面的SiO₂层以得到绝缘体上锗GOI结构。