发明名称 |
纳米图形化衬底制备装置与方法 |
摘要 |
一种纳米图形化衬底制备装置和方法,该制备方法依赖激光干涉曝光对衬底翘曲的不敏感性,克服蓝宝石衬底翘曲特性给现有图形化技术带来的离焦问题,并在制备装置中,设计了能够对相位和空间光场信息进行调制的光学系统,使得该激光干涉曝光系统能够对干涉光斑的形状大小和内部点阵分布进行控制,从而为衬底的纳米图形化工艺带来了工业化应用的可能。 |
申请公布号 |
CN103279014B |
申请公布日期 |
2016.01.20 |
申请号 |
CN201310236124.5 |
申请日期 |
2013.06.14 |
申请人 |
苏州苏大维格光电科技股份有限公司;苏州大学 |
发明人 |
浦东林;魏国军;袁晓峰;朱鸣;朱鹏飞;胡进;陈林森 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
唐灵;常亮 |
主权项 |
一种纳米图形化衬底制备装置,包括光学系统、运动系统、检测系统和控制系统,其特征在于:所述光学系统包括光源、具有空间位相混合光场调制功能的混合调制系统、部分反射镜,以及由透镜组和物镜组组成的双远心光学系统,所述混合调制系统包括位相调制器件、空间光调制器件以及用于将所述位相调制器件的输出面与所述空间光调制器件的输出面重合的整合光学系统,所述空间光调制器件用于曝光光斑轮廓的设定,所述控制系统用以输入曝光参数,所述曝光参数包括空间光调制器件的图形、位相参数、整个光学系统的缩放倍数、曝光启始位置、终点位置、单次曝光时间、曝光强度、每次曝光之间的移动步长和间隔时间、每次曝光的聚焦状态,以及曝光过程中,各个检测系统的运作情况,所述制备装置在曝光时采用重叠曝光方案进行,该重叠曝光方案通过每次曝光之间的移动步长和间隔时间使视场重叠曝光,实现相同曝光图形在同一区域的多次曝光,以提高曝光的均匀性。 |
地址 |
215000 江苏省苏州市工业园区钟南街478号 |