| 摘要 |
본 발명에 따른 에피택셜 성장 조건의 조정 방법은, 에피택셜막(12a)을 형성하기 전의, 웨이퍼(11)의 두께 분포를 측정하는 제1 측정 공정(S1)과, 에피택셜 성장 처리 공정(S2) 후, 또한 연마 공정(S4) 전의, 에피택셜 웨이퍼(10B)의 두께 분포 및 에피택셜막(12a)의 막두께 분포를 측정하는 제2 측정 공정(S3)과, 에피택셜 웨이퍼(10C)의 두께 분포 및 에피택셜막(13a)의 막두께 분포를 측정하는 제3 측정 공정(S5)과, 제1, 제2 및 제3 측정 공정에서 측정된 두께 분포 및 막두께 분포를 이용하여, 에피택셜 성장 조건을 조정하는 공정(S6)을 구비하는 것을 특징으로 한다. |
